三星电子内存事业部副社长洪完勋表示，明年上半年将生产20纳米级（2z纳米制程）DRAM。三星电子于2009年发布第一代绿色内存商品和战略以来，每年都对半导体微细工艺技术和战略进行升级。三星电子这次公开的第四代绿色内存商品中，企业服务器用SSD、480GB SATA MLC SSD(SM843)若安装在服务器系统，可提高处理速度五倍，则减少耗电量26%。据估计若现行的系统，包含服务器、储存系统与笔记本电脑，若有10%导入20纳米SSD、20%导入 20纳米DRAM，将能省下每小时3.5 teraWatt的电力。若将最新的20nm 4GB DDR3 内存颗粒与最新的SSD方案导入笔记本电脑中，将能够比旧有的方案延长1小时的续航力。三星电子称将会透过开发更新的制程、更高速的内存传输接口，持续发展更新的内存存储方案，同时与企业、IT专家持续合作共同研究更环保的技术。

　　世界第一次量产的20纳米级4GB DDR3 DRAM是第四代绿色内存解决方案的核心商品。较第三代20纳米DRAM，可降低耗电量7%，与用于笔记本电脑的40纳米级 DDR3 DRAM相比，生产效率高出两倍。三星电子今年3月开始量产20纳米级（2x纳米制程）4GB DDR3 DRAM后仅仅7个月来投入量产20纳米级（2y纳米制程）4GB DDR3 DRAM。